BUT30V , NPN 双极晶体管, 100 A, Vce=125 V, HFE:27, 功率, 4针 ISOTOP封装
- RS 库存编号:
- 264-355
- 制造商零件编号:
- BUT30V
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 20 - 49 | RMB153.91 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-355
- 制造商零件编号:
- BUT30V
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 125 V | |
| 封装类型 | ISOTOP | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 最小直流电流增益 | 27 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 200 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 9.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 38.2mm | |
| 尺寸 | 9.1 x 38.2 x 25.5mm | |
| 宽度 | 25.5mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.9 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 A | ||
最大集电极-发射极电压 125 V | ||
封装类型 ISOTOP | ||
安装类型 面板安装 | ||
最大功率耗散 250 W | ||
最小直流电流增益 27 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 200 V | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 9.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 38.2mm | ||
尺寸 9.1 x 38.2 x 25.5mm | ||
宽度 25.5mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.9 V | ||