Taiwan Semiconductor TS13003HVCT A3G , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=530 V, HFE:6, 4 MHz, 3引脚 TO-92封装
- RS 库存编号:
- 398-502
- 制造商零件编号:
- TS13003HVCT A3
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.134 | RMB56.70 |
| 250 - 450 | RMB0.864 | RMB43.20 |
| 500 - 950 | RMB0.762 | RMB38.10 |
| 1000 - 2450 | RMB0.684 | RMB34.20 |
| 2500 + | RMB0.632 | RMB31.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 398-502
- 制造商零件编号:
- TS13003HVCT A3
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 1.5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 530 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 1960 mW | |
| 最小直流电流增益 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 900 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 10 V | |
| 最大工作频率 | 4 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 高度 | 4.7mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 4.7mm | |
| 尺寸 | 4.7 x 4.7 x 3.7mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 2 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 1.5 A | ||
最大集电极-发射极电压 530 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 1960 mW | ||
最小直流电流增益 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 900 V | ||
最大发射极-基极电压 10 V | ||
最大工作频率 4 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 3.7mm | ||
高度 4.7mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 4.7mm | ||
尺寸 4.7 x 4.7 x 3.7mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 2 V | ||