PZT2222AT1G , NPN 双极晶体管, 0.6 A, Vce=40 V, HFE:35, 300 MHz, 功率, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 463-971P
- 制造商零件编号:
- PZT2222AT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 450 | RMB1.21 |
| 500 - 950 | RMB1.117 |
| 1000 - 2450 | RMB1.008 |
| 2500 + | RMB0.968 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 463-971P
- 制造商零件编号:
- PZT2222AT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 600 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1500 mW | |
| 最小直流电流增益 | 35 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 75 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 300 MHz | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 1.57 x 6.5 x 3.5mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.57mm | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 2 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 600 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1500 mW | ||
最小直流电流增益 35 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 75 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 300 MHz | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 1.57 x 6.5 x 3.5mm | ||
长度 6.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.57mm | ||
宽度 3.5mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大基极-发射极饱和电压 2 V | ||