NXP PBSS3540E PNP Low Saturation Bipolar Transistor, 500 mA, 40 V, 3-Pin SMPAK
- RS 库存编号:
- 485-476P
- 制造商零件编号:
- PBSS3540E
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计 100 件 (按连续条带形式提供)*
RMB70.90
(不含税)
RMB80.10
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 180 | RMB0.709 |
| 200 - 380 | RMB0.654 |
| 400 - 980 | RMB0.591 |
| 1000 + | RMB0.568 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 485-476P
- 制造商零件编号:
- PBSS3540E
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SMPAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 250 mW | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 300 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.35 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 1.8mm | |
| 尺寸 | 0.85 x 1.8 x 0.9mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 宽度 | 0.9mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 SMPAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 250 mW | ||
最小直流电流增益 40 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 40 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 300 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.35 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 1.8mm | ||
尺寸 0.85 x 1.8 x 0.9mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
宽度 0.9mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
高度 0.85mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN