Nexperia BCV62B,215 Dual PNP Transistor, 100 mA, 30 V, 4-Pin SOT-143B
- RS 库存编号:
- 508-955
- 制造商零件编号:
- BCV62B
- 制造商:
- NXP
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 508-955
- 制造商零件编号:
- BCV62B
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-143B | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 250 mW | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 电流反射镜 | |
| 最大集电极-基极电压 | 30 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.85 V | |
| 尺寸 | 1 x 3 x 1.4mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.65 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 30 V | ||
封装类型 SOT-143B | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 250 mW | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 电流反射镜 | ||
最大集电极-基极电压 30 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.4mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.85 V | ||
尺寸 1 x 3 x 1.4mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.65 V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN