Nexperia BCM847BV,115 Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SSMini
- RS 库存编号:
- 509-554
- 制造商零件编号:
- BCM847BV,115
- 制造商:
- NXP
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 509-554
- 制造商零件编号:
- BCM847BV,115
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V | |
| 封装类型 | SSMini | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 电流反射镜 | |
| 最大集电极-基极电压 | 50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 250 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.91 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.4 V | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 尺寸 | 0.6 x 1.7 x 1.3mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 45 V | ||
封装类型 SSMini | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 电流反射镜 | ||
最大集电极-基极电压 50 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 250 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.91 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V | ||
高度 0.6mm | ||
尺寸 0.6 x 1.7 x 1.3mm | ||
长度 1.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN