BDP949 , NPN 双极晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:25, 100 MHz, 功率, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 445-2146
- 制造商零件编号:
- BDP949
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB4.752 | RMB23.76 |
| 10 - 15 | RMB3.708 | RMB18.54 |
| 20 - 45 | RMB3.328 | RMB16.64 |
| 50 - 95 | RMB2.852 | RMB14.26 |
| 100 + | RMB2.662 | RMB13.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 445-2146
- 制造商零件编号:
- BDP949
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 5 W | |
| 最小直流电流增益 | 25 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 尺寸 | 1.6 x 6.5 x 3.5mm | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.3 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 60 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 5 W | ||
最小直流电流增益 25 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V | ||
高度 1.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.5mm | ||
尺寸 1.6 x 6.5 x 3.5mm | ||
宽度 3.5mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.3 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
