Nexperia, PBLS1503Y,115, Dual NPN + PNP Digital Transistor, 500 mA 15 V, 50 V 10 kΩ, Ratio Of 1, 6-Pin UMT
- RS 库存编号:
- 518-1182P
- 制造商零件编号:
- PBLS1503Y,115
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 75 | RMB1.319 |
| 100 - 175 | RMB1.218 |
| 200 - 375 | RMB1.10 |
| 400 + | RMB1.056 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 518-1182P
- 制造商零件编号:
- PBLS1503Y,115
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大连续集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 15 V，50 V | |
| 典型输入电阻器 | 10 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | UMT | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最小直流电流增益 | 30 | |
| 晶体管配置 | N+P 负载开关 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.15 V | |
| 典型电阻比 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 V | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大连续集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 15 V，50 V | ||
典型输入电阻器 10 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 UMT | ||
引脚数目 6 | ||
最小直流电流增益 30 | ||
晶体管配置 N+P 负载开关 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.15 V | ||
典型电阻比 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.1 V | ||
宽度 1.35mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
