NXP PBSS5350SS,115 PNP Transistor, 3 A, 50 V, 3-Pin 8-SO
- RS 库存编号:
- 518-1968
- 制造商零件编号:
- PBSS5350SS,115
- 制造商:
- NXP
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- 518-1968
- 制造商零件编号:
- PBSS5350SS,115
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | 8-SO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 830 mW | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.8mm | |
| 尺寸 | 5.2 x 4.8 x 4.2mm | |
| 宽度 | 4.2mm | |
| 高度 | 5.2mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.3 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 8-SO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 830 mW | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.8mm | ||
尺寸 5.2 x 4.8 x 4.2mm | ||
宽度 4.2mm | ||
高度 5.2mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V | ||
- COO (Country of Origin):
- TH