Nexperia, PUMD10,115, Dual NPN + PNP Digital Transistor, 100 mA 50 V 2.2 kΩ, Ratio Of 0.047, 6-Pin UMT
- RS 库存编号:
- 518-3683
- 制造商零件编号:
- PUMD10
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.441 | RMB22.05 |
| 100 - 150 | RMB0.41 | RMB20.50 |
| 200 - 350 | RMB0.378 | RMB18.90 |
| 400 - 450 | RMB0.347 | RMB17.35 |
| 500 + | RMB0.294 | RMB14.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 518-3683
- 制造商零件编号:
- PUMD10
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | UMT | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.1 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 10 V | |
| 典型电阻比 | 0.047 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大连续集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 2.2 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 UMT | ||
引脚数目 6 | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V | ||
最大发射极-基极电压 10 V | ||
典型电阻比 0.047 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
长度 2.2mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
宽度 1.35mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY