Nexperia, PUMH18,115, Dual NPN Digital Transistor, 100 mA 50 V 4.7 kΩ, Ratio Of 0.47, 6-Pin UMT
- RS 库存编号:
- 518-3908
- 制造商零件编号:
- PUMH18
- 制造商:
- NXP
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB27.65
(不含税)
RMB31.25
(含税)
有库存
- 另外 6,000 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.553 | RMB27.65 |
| 100 - 150 | RMB0.461 | RMB23.05 |
| 200 - 350 | RMB0.425 | RMB21.25 |
| 400 - 450 | RMB0.384 | RMB19.20 |
| 500 + | RMB0.368 | RMB18.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 518-3908
- 制造商零件编号:
- PUMH18
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大连续集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kΩ | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装类型 | UMT | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最小直流电流增益 | 50 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.1 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 典型电阻比 | 0.47 | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大连续集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
典型输入电阻器 4.7 kΩ | ||
安装类型 表面贴装 | ||
封装类型 UMT | ||
引脚数目 6 | ||
最小直流电流增益 50 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
典型电阻比 0.47 | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
长度 2.2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.35mm | ||
- COO (Country of Origin):
- MY