Nexperia PUMZ1,115 Dual NPN + PNP Transistor, 100 mA, 40 V, 6-Pin UMT
- RS 库存编号:
- 518-4018P
- 制造商零件编号:
- PUMZ1
- 制造商:
- NXP
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 150 | RMB0.509 |
| 200 - 350 | RMB0.47 |
| 400 - 450 | RMB0.424 |
| 500 + | RMB0.407 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 518-4018P
- 制造商零件编号:
- PUMZ1
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | UMT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 最小直流电流增益 | 120 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | 50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.2 V | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 1 x 2.2 x 1.35mm | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 UMT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
最小直流电流增益 120 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 50 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.2 V | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 1 x 2.2 x 1.35mm | ||
宽度 1.35mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- MY