制造商编号

D45H11G , PNP 双极晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:40, 40 MHz, 功率, 3针 TO-220AB封装

RS 库存编号:: 545-0179P
制造商零件编号:: D45H11G
制造商:: ON Semiconductor

D45H11G , PNP 双极晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:40, 40 MHz, 功率, 3针 TO-220AB封装

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单位	每单位
10 - 49	RMB4.54
50 - 99	RMB4.45
100 - 249	RMB3.49
250 +	RMB3.42

* 参考价格

RS 库存编号:: 545-0179P
制造商零件编号:: D45H11G
制造商:: ON Semiconductor

产品技术参数

产品概述和技术数据表

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ON Semiconductor
	晶体管类型	PNP
	最大直流集电极电流	10 A
	最大集电极-发射极电压	80 V
	封装类型	TO-220AB
	安装类型	通孔
	最大功率耗散	2 W
	最小直流电流增益	40
	晶体管配置	单
	最大发射极-基极电压	5 V
	最大工作频率	40 MHz
	引脚数目	3
	每片芯片元件数目	1
	长度	10.28mm
	尺寸	9.28 x 10.28 x 4.82mm
	最低工作温度	-55 °C
	宽度	4.82mm
	最大基极-发射极饱和电压	1.5 V
	最大集电极-发射极饱和电压	1 V
	高度	9.28mm
	最高工作温度	+150 °C

	选择全部
	品牌 ON Semiconductor
	晶体管类型 PNP
	最大直流集电极电流 10 A
	最大集电极-发射极电压 80 V
	封装类型 TO-220AB
	安装类型通孔
	最大功率耗散 2 W
	最小直流电流增益 40
	晶体管配置单
	最大发射极-基极电压 5 V
	最大工作频率 40 MHz
	引脚数目 3
	每片芯片元件数目 1
	长度 10.28mm
	尺寸 9.28 x 10.28 x 4.82mm
	最低工作温度 -55 °C
	宽度 4.82mm
	最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
	最大集电极-发射极饱和电压 1 V
	高度 9.28mm
	最高工作温度 +150 °C

D45H11G , PNP 双极晶体管, 10 A, Vce=80 V, HFE:40, 40 MHz, 功率, 3针 TO-220AB封装

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