MMBT2369ALT1G , NPN 双极晶体管, 0.2 A, Vce=15 V, HFE:20, 小信号, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 545-2608
- 制造商零件编号:
- MMBT2369ALT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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卷 | 每卷 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 1 | RMB522.01 | RMB0.174 |
| 2 - 2 | RMB511.84 | RMB0.171 |
| 3 - 3 | RMB465.77 | RMB0.155 |
| 4 - 4 | RMB443.60 | RMB0.148 |
| 5 + | RMB437.59 | RMB0.146 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 545-2608
- 制造商零件编号:
- MMBT2369ALT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 200 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 15 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最小直流电流增益 | 20 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 4.5 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.6 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 尺寸 | 0.94 x 2.9 x 1.3mm | |
| 高度 | 0.94mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 200 mA | ||
最大集电极-发射极电压 15 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最小直流电流增益 20 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 40 V | ||
最大发射极-基极电压 4.5 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.6 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V | ||
长度 2.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.3mm | ||
尺寸 0.94 x 2.9 x 1.3mm | ||
高度 0.94mm | ||
