BC847BLT1G , NPN 双极晶体管, 0.1 A, Vce=45 V, HFE:200, 100 MHz, 小信号, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 545-2759
- 制造商零件编号:
- BC847BLT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB401.83
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卷 | 每卷 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 1 | RMB401.83 | RMB0.134 |
| 2 - 2 | RMB393.95 | RMB0.131 |
| 3 - 3 | RMB351.32 | RMB0.117 |
| 4 - 4 | RMB344.43 | RMB0.115 |
| 5 + | RMB337.67 | RMB0.113 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 545-2759
- 制造商零件编号:
- BC847BLT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 尺寸 | 0.94 x 2.9 x 1.3mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | |
| 高度 | 0.94mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 45 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 50 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.3mm | ||
尺寸 0.94 x 2.9 x 1.3mm | ||
长度 2.9mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V | ||
高度 0.94mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.6 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
