2SB772 , PNP 双极晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:30, 100 MHz, 功率, 3针 SOT-32封装
- RS 库存编号:
- 686-8041
- 制造商零件编号:
- 2SB772
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
RMB58.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB2.925 | RMB58.50 |
| 100 - 180 | RMB2.613 | RMB52.26 |
| 200 - 380 | RMB2.60 | RMB52.00 |
| 400 - 980 | RMB2.444 | RMB48.88 |
| 1000 + | RMB2.132 | RMB42.64 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 686-8041
- 制造商零件编号:
- 2SB772
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-32 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 12.5 W | |
| 最小直流电流增益 | 30 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 10.8mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.1 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 7.8mm | |
| 尺寸 | 10.8 x 7.8 x 2.7mm | |
| 宽度 | 2.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 30 V | ||
封装类型 SOT-32 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 12.5 W | ||
最小直流电流增益 30 | ||
最大集电极-基极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 10.8mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.1 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 7.8mm | ||
尺寸 10.8 x 7.8 x 2.7mm | ||
宽度 2.7mm | ||