BUX85G , NPN 高压双极晶体管, 2 A, Vce=450 V, HFE:30, 4 MHz, 功率, 3针 TO-220AB封装
- RS 库存编号:
- 688-1492P
- 制造商零件编号:
- BUX85G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计 20 件 (按管提供)*
RMB98.00
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RMB110.80
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 38 | RMB4.90 |
| 40 - 98 | RMB4.30 |
| 100 - 198 | RMB3.80 |
| 200 + | RMB3.395 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-1492P
- 制造商零件编号:
- BUX85G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 2 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 450 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 50000 mW | |
| 最小直流电流增益 | 30 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 4 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V | |
| 尺寸 | 9.28 x 10.28 x 4.82mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.1 V | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 高度 | 9.28mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 2 A | ||
最大集电极-发射极电压 450 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 50000 mW | ||
最小直流电流增益 30 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 4 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4.82mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1 V | ||
尺寸 9.28 x 10.28 x 4.82mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.1 V | ||
长度 10.28mm | ||
高度 9.28mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||