MJD50T4G , NPN 高压双极晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 10 MHz, 功率, 3针 D-PAK封装
- RS 库存编号:
- 688-1518
- 制造商零件编号:
- MJD50T4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB4.445 | RMB8.89 |
| 20 - 38 | RMB3.305 | RMB6.61 |
| 40 - 98 | RMB3.24 | RMB6.48 |
| 100 - 198 | RMB2.175 | RMB4.35 |
| 200 + | RMB2.13 | RMB4.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 688-1518
- 制造商零件编号:
- MJD50T4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 400 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1560 mW | |
| 最小直流电流增益 | 10 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 500 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 10 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 2.38 x 6.73 x 6.22mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 400 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1560 mW | ||
最小直流电流增益 10 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 500 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 10 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 2.38 x 6.73 x 6.22mm | ||
宽度 6.22mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 2.38mm | ||