BC856BDW1T1G, 双 PNP 双极晶体管, 0.1 A, Vce=65 V, HFE:220, 100 MHz, 小信号, 6针 SC-88封装
- RS 库存编号:
- 690-0098
- 制造商零件编号:
- BC856BDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 3100 | RMB0.552 | RMB13.80 |
| 3125 - 6225 | RMB0.224 | RMB5.60 |
| 6250 - 12475 | RMB0.22 | RMB5.50 |
| 12500 - 24975 | RMB0.182 | RMB4.55 |
| 25000 + | RMB0.176 | RMB4.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 690-0098
- 制造商零件编号:
- BC856BDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 65 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 380 mW | |
| 最小直流电流增益 | 220 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 0.9 x 2 x 1.25mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.65 V | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 65 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 380 mW | ||
最小直流电流增益 220 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 80 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.25mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 2mm | ||
尺寸 0.9 x 2 x 1.25mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.65 V | ||
高度 0.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||