BCW 68G , PNP 双极晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:630, 200 MHz, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 753-2778
- 制造商零件编号:
- BCW 68G
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 2400 | RMB0.363 | RMB36.30 |
| 2500 - 9900 | RMB0.281 | RMB28.10 |
| 10000 - 49900 | RMB0.258 | RMB25.80 |
| 50000 - 299900 | RMB0.222 | RMB22.20 |
| 300000 + | RMB0.199 | RMB19.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-2778
- 制造商零件编号:
- BCW 68G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 800mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 330 mW | |
| 最小直流电流增益 | 630 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 45 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 200 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.7 V | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 2 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 800mA | ||
最大集电极-发射极电压 45 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 330 mW | ||
最小直流电流增益 630 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 45 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 200 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.7 V | ||
高度 0.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 2 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.3mm | ||