BC846BPDW1T1G, 双 NPN，PNP 双极晶体管, 100 (NPN) mA，-100 (PNP) mA, Vce=65 (NPN) V，-65 (PNP) V, HFE:200, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 773-7620
- 制造商零件编号:
- BC846BPDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB23.40
(不含税)
RMB26.45
(含税)
有库存
- 5,600 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.468 | RMB23.40 |
| 100 - 200 | RMB0.351 | RMB17.55 |
| 250 - 450 | RMB0.281 | RMB14.05 |
| 500 - 950 | RMB0.258 | RMB12.90 |
| 1000 + | RMB0.226 | RMB11.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 773-7620
- 制造商零件编号:
- BC846BPDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 65 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 380 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 (NPN), 200 PNP | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | -80 V, 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 (PNP) V，6 (NPN) V | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2.0 x 1.25 x 0.95mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 NPN V，-0.9 PNP V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 (NPN) V，-0.65 (PNP) V | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 65 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 380 mW | ||
最小直流电流增益 200 (NPN), 200 PNP | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 -80 V, 80 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 (PNP) V，6 (NPN) V | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.25mm | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2.0 x 1.25 x 0.95mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.9 NPN V，-0.9 PNP V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.6 (NPN) V，-0.65 (PNP) V | ||
高度 0.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||