2SB1143T , PNP 双极晶体管, -4 A, Vce=-50 V, HFE:200, 150 MHz, 开关, 3针 TO126ML封装
- RS 库存编号:
- 774-0685P
- 制造商零件编号:
- 2SB1143T
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 245 | RMB2.64 |
| 250 - 495 | RMB2.442 |
| 500 - 995 | RMB2.326 |
| 1000 + | RMB1.858 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-0685P
- 制造商零件编号:
- 2SB1143T
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | TO-126ML | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 10 W | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -6 V | |
| 最大工作频率 | 150 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -700 mV | |
| 高度 | 11mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V | |
| 尺寸 | 8 x 3.3 x 11mm | |
| 长度 | 8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 TO-126ML | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 10 W | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -60 V | ||
最大发射极-基极电压 -6 V | ||
最大工作频率 150 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -700 mV | ||
高度 11mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V | ||
尺寸 8 x 3.3 x 11mm | ||
长度 8mm | ||