2SC3646T-P-TD-E , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:200, 1 MHz, 3针 PCP封装
- RS 库存编号:
- 774-0695
- 制造商零件编号:
- 2SC3646T-P-TD-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB34.21
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RMB38.655
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB6.842 | RMB34.21 |
| 100 - 245 | RMB4.908 | RMB24.54 |
| 250 - 495 | RMB4.044 | RMB20.22 |
| 500 - 995 | RMB3.854 | RMB19.27 |
| 1000 + | RMB3.674 | RMB18.37 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-0695
- 制造商零件编号:
- 2SC3646T-P-TD-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | PCP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 120 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.4 V | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 PCP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 120 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V | ||
高度 1.5mm | ||
宽度 2.5mm | ||
长度 4.5mm | ||