CPH5517-TL-E, 双 NPN，PNP 双极晶体管, 1, Vce=50, HFE:200, 1 MHz, 5针 CPH封装
- RS 库存编号:
- 774-0803
- 制造商零件编号:
- CPH5517-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB2.039 | RMB20.39 |
| 100 - 240 | RMB1.506 | RMB15.06 |
| 250 - 490 | RMB1.363 | RMB13.63 |
| 500 - 990 | RMB1.298 | RMB12.98 |
| 1000 + | RMB0.981 | RMB9.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-0803
- 制造商零件编号:
- CPH5517-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | CPH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 900 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 共基极 | |
| 最大集电极-基极电压 | -50 V, 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 (NPN) V，-5 (PNP) V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 190 (NPN) mV，-430 (PNP) mV | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 (NPN) V，-1.2 (PNP) V | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 CPH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 900 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 共基极 | ||
最大集电极-基极电压 -50 V, 60 V | ||
最大发射极-基极电压 5 (NPN) V，-5 (PNP) V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 5 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.6mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 190 (NPN) mV，-430 (PNP) mV | ||
高度 0.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 (NPN) V，-1.2 (PNP) V | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||