2N4921G , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:10, 1 MHz, 中等功率, 3针 TO-225封装
- RS 库存编号:
- 774-3417
- 制造商零件编号:
- 2N4921G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB3.658 | RMB18.29 |
| 100 - 245 | RMB1.892 | RMB9.46 |
| 250 - 495 | RMB1.854 | RMB9.27 |
| 500 - 995 | RMB1.816 | RMB9.08 |
| 1000 + | RMB1.464 | RMB7.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-3417
- 制造商零件编号:
- 2N4921G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | TO-225 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 最小直流电流增益 | 10 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 7.74mm | |
| 尺寸 | 7.74 x 2.66 x 11.04mm | |
| 高度 | 11.04mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.3 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V | |
| 宽度 | 2.66mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 TO-225 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 30 W | ||
最小直流电流增益 10 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 40 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 7.74mm | ||
尺寸 7.74 x 2.66 x 11.04mm | ||
高度 11.04mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.3 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.6 V | ||
宽度 2.66mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||