MMBT6517LT1G , NPN 高压双极晶体管, 100 mA, Vce=350 V, HFE:15, 20 MHz, 高电压, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 781-4266
- 制造商零件编号:
- MMBT6517LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | RMB0.742 | RMB14.84 |
| 40 - 80 | RMB0.727 | RMB14.54 |
| 100 - 180 | RMB0.713 | RMB14.26 |
| 200 - 380 | RMB0.699 | RMB13.98 |
| 400 + | RMB0.685 | RMB13.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 781-4266
- 制造商零件编号:
- MMBT6517LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 350 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 225 mW | |
| 最小直流电流增益 | 15 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 350 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 20 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 尺寸 | 3.04 x 2.64 x 1.11mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | |
| 宽度 | 2.64mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.11mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 350 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 225 mW | ||
最小直流电流增益 15 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 350 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 20 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.04mm | ||
尺寸 3.04 x 2.64 x 1.11mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V | ||
宽度 2.64mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.11mm | ||