BUV26G , NPN 双极晶体管, 20 A, Vce=90 V, 功率晶体管, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 790-5303
- 制造商零件编号:
- BUV26G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB5.618 | RMB28.09 |
| 10 - 20 | RMB4.358 | RMB21.79 |
| 25 - 45 | RMB3.872 | RMB19.36 |
| 50 - 95 | RMB3.504 | RMB17.52 |
| 100 + | RMB3.362 | RMB16.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5303
- 制造商零件编号:
- BUV26G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 20 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 90 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 85 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 180V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V 直流 | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 2 V 直流 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 20 A | ||
最大集电极-发射极电压 90 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 85 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 180V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V 直流 | ||
宽度 4.82mm | ||
高度 15.75mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.28mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 2 V 直流 | ||