BUH50G , NPN 高压双极晶体管, 4 A, Vce=500 V, HFE:5, 1 MHz, 功率晶体管, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 790-5309
- 制造商零件编号:
- BUH50G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB4.556 | RMB22.78 |
| 10 - 20 | RMB3.522 | RMB17.61 |
| 25 - 45 | RMB3.144 | RMB15.72 |
| 50 - 95 | RMB2.846 | RMB14.23 |
| 100 + | RMB2.726 | RMB13.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5309
- 制造商零件编号:
- BUH50G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 4 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 500 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 最小直流电流增益 | 5 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 800 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 9 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.82mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.5 V 直流 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 尺寸 | 10.28 x 4.82 x 15.75mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1 V 直流 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 4 A | ||
最大集电极-发射极电压 500 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 50 W | ||
最小直流电流增益 5 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 800 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 9 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.82mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.5 V 直流 | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
高度 15.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.28mm | ||
尺寸 10.28 x 4.82 x 15.75mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1 V 直流 | ||