MMJT350T1G , PNP 高压双极晶体管, 0.5 A, Vce=300 V, HFE:20, 功率晶体管, 3针 SOT223封装
- RS 库存编号:
- 790-5422
- 制造商零件编号:
- MMJT350T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB28.93
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB2.893 | RMB28.93 |
| 20 - 40 | RMB2.255 | RMB22.55 |
| 50 - 90 | RMB2.013 | RMB20.13 |
| 100 - 190 | RMB1.804 | RMB18.04 |
| 200 + | RMB1.507 | RMB15.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5422
- 制造商零件编号:
- MMJT350T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 500 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 300 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 2.75 W | |
| 最小直流电流增益 | 20 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 300 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.65mm | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 500 mA | ||
最大集电极-发射极电压 300 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 2.75 W | ||
最小直流电流增益 20 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 300 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.7mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.7mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm | ||
高度 1.65mm | ||