NJVMJD42CT4G , PNP 双极晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:15, 1 MHz, 功率晶体管, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 790-5448
- 制造商零件编号:
- NJVMJD42CT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB6.47 | RMB32.35 |
| 10 - 20 | RMB5.37 | RMB26.85 |
| 25 - 45 | RMB5.264 | RMB26.32 |
| 50 - 95 | RMB5.16 | RMB25.80 |
| 100 + | RMB3.96 | RMB19.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 790-5448
- 制造商零件编号:
- NJVMJD42CT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 6 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 最小直流电流增益 | 15 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V 直流 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 6 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 20 W | ||
最小直流电流增益 15 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 100 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V 直流 | ||
宽度 6.22mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 2.38mm | ||