MBT3946DW1T1G, 双 NPN，PNP 射频双极晶体管, 200 (NPN) mA、-200 (PNP) mA, Vce=-40 (NPN) V，40 (PNP) V, HFE:30, 100 MHz, 6针 SC-88封装
- RS 库存编号:
- 791-6078
- 制造商零件编号:
- MBT3946DW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | RMB0.42 | RMB42.00 |
| 200 - 400 | RMB0.332 | RMB33.20 |
| 500 - 900 | RMB0.306 | RMB30.60 |
| 1000 - 1900 | RMB0.279 | RMB27.90 |
| 2000 + | RMB0.24 | RMB24.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-6078
- 制造商零件编号:
- MBT3946DW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 200 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 最小直流电流增益 | 30 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | -40 V, 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 (PNP) V，6 (NPN) V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.3 (NPN) V，-0.4 (PNP) V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.95 (NPN) V，-0.95 (PNP) V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
最大直流集电极电流 200 mA | ||
最大集电极-发射极电压 40 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
最小直流电流增益 30 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 -40 V, 60 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 (PNP) V，6 (NPN) V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.35mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.3 (NPN) V，-0.4 (PNP) V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.95 (NPN) V，-0.95 (PNP) V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||