NSS12100XV6T1G , PNP 双极晶体管, -1 A, Vce=-12 V, HFE:90, 1 MHz, DC/DC, 6针 SOT-563封装
- RS 库存编号:
- 791-6283
- 制造商零件编号:
- NSS12100XV6T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB47.05
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RMB53.175
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.882 | RMB47.05 |
| 50 - 100 | RMB1.458 | RMB36.45 |
| 125 - 225 | RMB1.296 | RMB32.40 |
| 250 - 475 | RMB1.18 | RMB29.50 |
| 500 + | RMB1.08 | RMB27.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-6283
- 制造商零件编号:
- NSS12100XV6T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 12 V | |
| 封装类型 | SOT-563 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 最小直流电流增益 | 90 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -12 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.15 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.3 x 0.6mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.44 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 12 V | ||
封装类型 SOT-563 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
最小直流电流增益 90 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -12 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.15 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 1.7mm | ||
尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.3mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.44 V | ||