PZT651T1G , NPN 双极晶体管, 2 A, Vce=60 V, HFE:40, 100 MHz, 中等功率, 3针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 791-6328
- 制造商零件编号:
- PZT651T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB48.40
(不含税)
RMB54.70
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB1.936 | RMB48.40 |
| 50 - 100 | RMB1.505 | RMB37.63 |
| 125 - 225 | RMB1.34 | RMB33.50 |
| 250 - 475 | RMB1.21 | RMB30.25 |
| 500 + | RMB1.008 | RMB25.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-6328
- 制造商零件编号:
- PZT651T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 2 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 800 mW | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.5 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.65mm | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 2 A | ||
最大集电极-发射极电压 60 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 800 mW | ||
最小直流电流增益 40 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 80 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.7mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.65mm | ||
宽度 3.7mm | ||
高度 1.65mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||