PCP1103-TD-H , PNP 双极晶体管, -1.5 A, Vce=-30 V, HFE:200, 1 MHz, DC/DC, 4针 PCP封装
- RS 库存编号:
- 791-9497
- 制造商零件编号:
- PCP1103-TD-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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包装 | 每包 | 每单位* |
|---|---|---|
| 1 - 1 | RMB32.41 | RMB1.621 |
| 2 - 4 | RMB25.21 | RMB1.261 |
| 5 - 9 | RMB22.51 | RMB1.126 |
| 10 - 19 | RMB20.71 | RMB1.036 |
| 20 + | RMB17.74 | RMB0.887 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 791-9497
- 制造商零件编号:
- PCP1103-TD-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 1.5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PCP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 3.5 W | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -30 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V | |
| 尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -375 mV | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 1.5 A | ||
最大集电极-发射极电压 30 V | ||
封装类型 PCP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 3.5 W | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -30 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V | ||
尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.5mm | ||
宽度 2.5mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -375 mV | ||