NXP BSP33 PNP Bipolar Transistor, 1 A, 80 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
- RS 库存编号:
- 792-0879
- 制造商零件编号:
- BSP33
- 制造商:
- NXP
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小计（1 卷，共 20 件）*
RMB80.66
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RMB91.14
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB4.033 | RMB80.66 |
| 100 - 240 | RMB3.403 | RMB68.06 |
| 260 - 480 | RMB2.917 | RMB58.34 |
| 500 - 980 | RMB2.539 | RMB50.78 |
| 1000 + | RMB2.53 | RMB50.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-0879
- 制造商零件编号:
- BSP33
- 制造商:
- NXP
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | NXP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最小直流电流增益 | 30 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -90 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 引脚数目 | 3 + Tab | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -500 mV | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.8mm | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 高度 | 1.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 NXP | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 80 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
最小直流电流增益 30 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -90 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
引脚数目 3 + Tab | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -500 mV | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.8mm | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7mm | ||
高度 1.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -65 °C | ||