2SA1179N6-TB-E , PNP 双极晶体管, -150 mA, Vce=-50 V, HFE:200, 180 MHz, 3针 CPA封装
- RS 库存编号:
- 792-4972
- 制造商零件编号:
- 2SA1179N6-TB-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB31.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.63 | RMB31.50 |
| 100 - 200 | RMB0.54 | RMB27.00 |
| 250 - 450 | RMB0.45 | RMB22.50 |
| 500 - 950 | RMB0.36 | RMB18.00 |
| 1000 + | RMB0.348 | RMB17.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-4972
- 制造商零件编号:
- 2SA1179N6-TB-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 150 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | CPA | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -55 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V | |
| 最大工作频率 | 180 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.5 V | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1 V | |
| 长度 | 2.93mm | |
| 尺寸 | 2.93 x 1.3 x 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 150 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 CPA | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -55 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V | ||
最大工作频率 180 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.5 V | ||
宽度 1.3mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1 V | ||
长度 2.93mm | ||
尺寸 2.93 x 1.3 x 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TH