2SC5551AF-TD-E , NPN 射频双极晶体管, 300 mA, Vce=30 V, HFE:20, 3.5 GHz, 射频晶体管, 3针 PCP封装
- RS 库存编号:
- 792-5088
- 制造商零件编号:
- 2SC5551AF-TD-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB4.736 | RMB47.36 |
| 20 - 40 | RMB3.898 | RMB38.98 |
| 50 - 90 | RMB3.475 | RMB34.75 |
| 100 - 190 | RMB3.142 | RMB31.42 |
| 200 + | RMB2.89 | RMB28.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5088
- 制造商零件编号:
- 2SC5551AF-TD-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 300 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PCP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最小直流电流增益 | 20 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 2 V | |
| 最大工作频率 | 3.5 GHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.3 V | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 300 mA | ||
最大集电极-发射极电压 30 V | ||
封装类型 PCP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
最小直流电流增益 20 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 40 V | ||
最大发射极-基极电压 2 V | ||
最大工作频率 3.5 GHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V | ||
宽度 2.5mm | ||
长度 4.5mm | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||