30C02CH-TL-E , NPN 双极晶体管, 700 mA, Vce=30 V, HFE:300, 540 MHz, 低频放大器, 3针 CPH封装
- RS 库存编号:
- 792-5189
- 制造商零件编号:
- 30C02CH-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 50 件）*
RMB44.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.882 | RMB44.10 |
| 100 - 200 | RMB0.684 | RMB34.20 |
| 250 - 450 | RMB0.612 | RMB30.60 |
| 500 - 950 | RMB0.549 | RMB27.45 |
| 1000 + | RMB0.504 | RMB25.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5189
- 制造商零件编号:
- 30C02CH-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 700 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
| 封装类型 | CPH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 700 mW | |
| 最小直流电流增益 | 300 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 540 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 190 mV | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 700 mA | ||
最大集电极-发射极电压 30 V | ||
封装类型 CPH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 700 mW | ||
最小直流电流增益 300 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 40 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 540 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||
宽度 1.6mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 190 mV | ||