55GN01CA-TB-E , NPN 射频双极晶体管, 70 mA, Vce=10 V, HFE:100, 5.5 GHz, 射频晶体管, 3针 CP封装
- RS 库存编号:
- 792-5212
- 制造商零件编号:
- 55GN01CA-TB-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 50 件）*
RMB49.95
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB0.999 | RMB49.95 |
| 100 - 200 | RMB0.774 | RMB38.70 |
| 250 - 450 | RMB0.693 | RMB34.65 |
| 500 - 950 | RMB0.63 | RMB31.50 |
| 1000 + | RMB0.576 | RMB28.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 792-5212
- 制造商零件编号:
- 55GN01CA-TB-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 70 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 10 V | |
| 封装类型 | CP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 最小直流电流增益 | 100 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 20 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 3 V | |
| 最大工作频率 | 5.5 GHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 宽度 | 1.5mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 70 mA | ||
最大集电极-发射极电压 10 V | ||
封装类型 CP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
最小直流电流增益 100 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 20 V | ||
最大发射极-基极电压 3 V | ||
最大工作频率 5.5 GHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.9mm | ||
宽度 1.5mm | ||
高度 1.1mm | ||