BC850BW , NPN 双极晶体管, 0.1 A, Vce=45 V, HFE:200, 小信号, 3针 SOT-323封装
- RS 库存编号:
- 796-9849
- 制造商零件编号:
- BC850BW
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 250 - 500 | RMB0.295 | RMB73.75 |
| 750 - 1250 | RMB0.253 | RMB63.25 |
| 1500 - 2750 | RMB0.221 | RMB55.25 |
| 3000 - 5750 | RMB0.197 | RMB49.25 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 796-9849
- 制造商零件编号:
- BC850BW
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 45 V | |
| 封装类型 | SOT-323 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 最大集电极-基极电压 | 50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2.1 x 1.35 x 1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 45 V | ||
封装类型 SOT-323 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
最大集电极-基极电压 50 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2.1 x 1.35 x 1mm | ||
高度 1mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.6 V | ||
长度 2.1mm | ||
宽度 1.35mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||