2SA1708T-AN , PNP 双极晶体管, -1 A, Vce=-100 V, HFE:140, 120 MHz, 功率, 3针 NMP封装
- RS 库存编号:
- 800-9232
- 制造商零件编号:
- 2SA1708T-AN
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB35.75
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB1.43 | RMB35.75 |
| 125 - 225 | RMB1.32 | RMB33.00 |
| 250 - 600 | RMB1.21 | RMB30.25 |
| 625 - 1850 | RMB1.122 | RMB28.05 |
| 1875 + | RMB1.056 | RMB26.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9232
- 制造商零件编号:
- 2SA1708T-AN
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | NMP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 最小直流电流增益 | 140 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -120 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -6 V | |
| 最大工作频率 | 120 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.6 V | |
| 尺寸 | 6.9 x 2.5 x 4.5mm | |
| 长度 | 6.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 NMP | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 1 W | ||
最小直流电流增益 140 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -120 V | ||
最大发射极-基极电压 -6 V | ||
最大工作频率 120 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.5mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.6 V | ||
尺寸 6.9 x 2.5 x 4.5mm | ||
长度 6.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V | ||
高度 4.5mm | ||