2SA2112-AN , PNP 双极晶体管, -3 A, Vce=-50 V, HFE:200, 390 MHz, 功率, 3针 NMP封装
- RS 库存编号:
- 800-9263
- 制造商零件编号:
- 2SA2112-AN
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB85.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB3.42 | RMB85.50 |
| 125 - 225 | RMB2.30 | RMB57.50 |
| 250 - 600 | RMB2.254 | RMB56.35 |
| 625 - 1850 | RMB2.21 | RMB55.25 |
| 1875 + | RMB1.76 | RMB44.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9263
- 制造商零件编号:
- 2SA2112-AN
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | NMP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -6 V | |
| 最大工作频率 | 390 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 6.9 x 2.5 x 4.5mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -700 V | |
| 长度 | 6.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 NMP | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 1 W | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -50 V | ||
最大发射极-基极电压 -6 V | ||
最大工作频率 390 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 6.9 x 2.5 x 4.5mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 2.5mm | ||
高度 4.5mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -700 V | ||
长度 6.9mm | ||