2SB1121T-TD-E , PNP 双极晶体管, -2 A, Vce=-25 V, HFE:140, 150 MHz, 功率, 3针 PCP封装
- RS 库存编号:
- 800-9272P
- 制造商零件编号:
- 2SB1121T-TD-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 100 | RMB1.549 |
| 150 - 250 | RMB1.519 |
| 300 - 700 | RMB1.489 |
| 750 + | RMB1.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9272P
- 制造商零件编号:
- 2SB1121T-TD-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 2 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 25 V | |
| 封装类型 | PCP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 最小直流电流增益 | 140 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -30 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -6 V | |
| 最大工作频率 | 150 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.6 V | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V | |
| 尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 2 A | ||
最大集电极-发射极电压 25 V | ||
封装类型 PCP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
最小直流电流增益 140 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -30 V | ||
最大发射极-基极电压 -6 V | ||
最大工作频率 150 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.6 V | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V | ||
尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm | ||
长度 4.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN