2SC5415AE-TD-E , NPN 射频双极晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:90, 8 GHz, 射频晶体管, 3针 PCP封装
- RS 库存编号:
- 800-9320
- 制造商零件编号:
- 2SC5415AE-TD-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB85.80
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RMB96.95
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB3.432 | RMB85.80 |
| 50 - 100 | RMB3.366 | RMB84.15 |
| 125 - 350 | RMB2.266 | RMB56.65 |
| 375 - 600 | RMB2.222 | RMB55.55 |
| 625 + | RMB2.178 | RMB54.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9320
- 制造商零件编号:
- 2SC5415AE-TD-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 12 V | |
| 封装类型 | PCP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 800 mW | |
| 最小直流电流增益 | 90 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 20 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 2 V | |
| 最大工作频率 | 8 GHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 2.5mm | |
| 尺寸 | 4.5 x 2.5 x 1.5mm | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 12 V | ||
封装类型 PCP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 800 mW | ||
最小直流电流增益 90 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 20 V | ||
最大发射极-基极电压 2 V | ||
最大工作频率 8 GHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 2.5mm | ||
尺寸 4.5 x 2.5 x 1.5mm | ||
长度 4.5mm | ||
高度 1.5mm | ||