2SD1815T-TL-E , NPN 双极晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:40, 180 MHz, 功率, 3针 TP-FA封装
- RS 库存编号:
- 800-9355P
- 制造商零件编号:
- 2SD1815T-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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RMB176.00
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RMB198.80
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 40 - 120 | RMB4.40 |
| 140 - 220 | RMB2.96 |
| 240 - 480 | RMB2.90 |
| 500 + | RMB2.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9355P
- 制造商零件编号:
- 2SD1815T-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 3 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TP-FA | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 20 W | |
| 最小直流电流增益 | 40 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 120 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 180 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 400 mV | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 5.5mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 尺寸 | 6.5 x 2.3 x 5.5mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 3 A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V | ||
封装类型 TP-FA | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 20 W | ||
最小直流电流增益 40 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 120 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 180 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 400 mV | ||
宽度 2.3mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 5.5mm | ||
长度 6.5mm | ||
尺寸 6.5 x 2.3 x 5.5mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN