BC848CPDW1T1G , NPN 双极晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:270, 100 MHz, 功率, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 800-9645
- 制造商零件编号:
- BC848CPDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 200 件）*
RMB110.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | RMB0.551 | RMB110.20 |
| 400 - 600 | RMB0.541 | RMB108.20 |
| 800 - 1400 | RMB0.53 | RMB106.00 |
| 1600 - 2200 | RMB0.367 | RMB73.40 |
| 2400 + | RMB0.36 | RMB72.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9645
- 制造商零件编号:
- BC848CPDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 3.58 W | |
| 最小直流电流增益 | 270 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 30 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 6 V | |
| 最大工作频率 | 100 MHz | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 0.9 V | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最低工作温度 | -50 °C | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 30 V | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 3.58 W | ||
最小直流电流增益 270 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 30 V | ||
最大发射极-基极电压 6 V | ||
最大工作频率 100 MHz | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V | ||
长度 2.2mm | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最低工作温度 -50 °C | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.6 V | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.35mm | ||