BCW32LT1G , NPN 双极晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:200, 1 MHz, 功率, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 800-9682
- 制造商零件编号:
- BCW32LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 250 件）*
RMB56.75
(不含税)
RMB64.25
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | RMB0.227 | RMB56.75 |
| 500 - 500 | RMB0.199 | RMB49.75 |
| 750 - 1000 | RMB0.187 | RMB46.75 |
| 1250 - 2250 | RMB0.173 | RMB43.25 |
| 2500 + | RMB0.16 | RMB40.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9682
- 制造商零件编号:
- BCW32LT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 100 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 32 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 225 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 32 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 最大工作频率 | 1 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.11mm | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.25 V 直流 | |
| 最低工作温度 | -50 °C | |
| 高度 | 1.11mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 100 mA | ||
最大集电极-发射极电压 32 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 225 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 32 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
最大工作频率 1 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.04mm | ||
尺寸 3.04 x 1.4 x 1.11mm | ||
宽度 1.4mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V 直流 | ||
最低工作温度 -50 °C | ||
高度 1.11mm | ||