CPH3145-TL-E , PNP 双极晶体管, -2 A, Vce=-50 V, HFE:200, 420 MHz, 功率, 3针 CPH3封装
- RS 库存编号:
- 800-9979
- 制造商零件编号:
- CPH3145-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 50 件）*
RMB65.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB1.30 | RMB65.00 |
| 100 - 200 | RMB1.20 | RMB60.00 |
| 250 - 450 | RMB1.10 | RMB55.00 |
| 500 - 1200 | RMB1.00 | RMB50.00 |
| 1250 + | RMB0.90 | RMB45.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9979
- 制造商零件编号:
- CPH3145-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 2 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | CPH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 900 mW | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | -50 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -6 V | |
| 最大工作频率 | 420 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -330 mV | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 2 A | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 CPH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 900 mW | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 -50 V | ||
最大发射极-基极电压 -6 V | ||
最大工作频率 420 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.6mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V | ||
高度 0.9mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -330 mV | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||