CPH5518-TL-H , NPN，PNP 双极晶体管, 1 A,-1 A, Vce=50 V, -50 V, HFE:200, 420 MHz, 5针 CPH5封装
- RS 库存编号:
- 800-9991P
- 制造商零件编号:
- CPH5518-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 600 | RMB1.66 |
| 625 - 1225 | RMB1.634 |
| 1250 - 1850 | RMB1.602 |
| 1875 + | RMB1.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 800-9991P
- 制造商零件编号:
- CPH5518-TL-H
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | NPN + PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 1 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | CPH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 1.2 W | |
| 最小直流电流增益 | 200 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 最大集电极-基极电压 | -50 V，80 V | |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V, 5 V | |
| 最大工作频率 | 420 MHz | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.2 V, 1.2 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -380 mV, 190 mV | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 NPN + PNP | ||
最大直流集电极电流 1 A | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 CPH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 1.2 W | ||
最小直流电流增益 200 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
最大集电极-基极电压 -50 V，80 V | ||
最大发射极-基极电压 -5 V, 5 V | ||
最大工作频率 420 MHz | ||
引脚数目 5 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||
最大基极-发射极饱和电压 -1.2 V, 1.2 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -380 mV, 190 mV | ||
高度 0.9mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN