HN1B01FDW1T1G , PNP 双极晶体管, 200 mA, Vce=50 V, HFE:-200, 功率, 6针 SC-74封装
- RS 库存编号:
- 801-0257P
- 制造商零件编号:
- HN1B01FDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 400 - 600 | RMB0.561 |
| 800 - 1400 | RMB0.55 |
| 1600 - 2200 | RMB0.377 |
| 2400 + | RMB0.37 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 801-0257P
- 制造商零件编号:
- HN1B01FDW1T1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 200 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | |
| 封装类型 | SC-74 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 最大功率耗散 | 380 mW | |
| 最小直流电流增益 | -200 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 7 V | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.3 V 直流 | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 200 mA | ||
最大集电极-发射极电压 50 V | ||
封装类型 SC-74 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
最大功率耗散 380 mW | ||
最小直流电流增益 -200 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 60 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 7 V | ||
引脚数目 6 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.7mm | ||
最大集电极-发射极饱和电压 -0.3 V 直流 | ||
高度 1.1mm | ||
长度 3.1mm | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN